今回はデカップリングコンデンサ追加により、電源-GNDのプレーン共振解析シミュレーションで共振点がどのように変わるか確認してみます。
電源とGNDの対向したプレーンがあると高周波で共振します。
テストデータは４層基板で上から部品面、GND層、電源層、半田面にしています。赤いラインが３層目の電源プレーンです。２層目はGNDプレーン。
電源プレーンの入り口と出口には0.1uのコンデンサを付けています。
シミュレーション結果は右図の周波数特性表から共振点が出ています。
青丸の位置に0.1μのコンデンサを１つ追加してみます。
共振点が高い周波数帯へ少し移動しました。
今度は青丸の位置に0.1μのコンデンサを２つ追加してみます。
コンデンサ１つの時と比べて共振点がさらに高い周波数帯へ少し移動しました。
青丸の位置に0.1μのコンデンサを3つ追加してみます。
共振周波数がさらに高い周波数帯へ移動し、周波数特性表の周波数帯から無くなりました。
上記の様にプレーンの共振を解析し、コンデンサを追加する事で共振周波数を高い周波数帯へずらしEMIを抑制します。
